Theo tin TechWeb ngày 28/1, Samsung Electronics của Hàn Quốc đã thành lập một phòng thí nghiệm mới tại Thung lũng Silicon, Mỹ, để tập trung nghiên cứu và phát triển bộ nhớ DRAM 3D thế hệ tiếp theo. Dựa trên kinh nghiệm thành công trong việc thương mại hóa cấu trúc dọc 3D NAND (3D V-NAND) đầu tiên trên thế giới vào năm 2013, Samsung Electronics đặt mục tiêu dẫn đầu sự phát triển cấu trúc dọc DRAM 3D. Được biết, vào tháng 9 năm 2023, Samsung Electronics đã phát triển chip DRAM 32 Gb DDR5 DRAM đầu tiên và có dung lượng cao nhất trong ngành. Nó được xây dựng bằng quy trình cấp 12nm và có thể được sử dụng để sản xuất các sản phẩm bộ nhớ 1TB, từ đó củng cố vị thế dẫn đầu toàn cầu của Samsung về công nghệ DRAM. Khả năng lãnh đạo.
Nguồn: https://www.techweb.com.cn/it/2024-01-28/2940323.shtml
