Theo trang web chính thức của DARPA vào ngày 18 tháng 7, “Chương trình sản xuất vi điện tử thế hệ tiếp theo (NGMM)” của Cơ quan các dự án nghiên cứu tiên tiến thuộc Bộ Quốc phòng Hoa Kỳ có ý định thành lập trung tâm quốc gia đầu tiên thông qua một thỏa thuận mới để thúc đẩy sản xuất vi điện tử tại Hoa Kỳ và hiện thực hóa việc tạo mẫu thuận tiện cho các chip trong tương lai. DARPA sẽ hợp tác với Đại học Texas tại Austin và Trung tâm nghiên cứu Viện điện tử Texas hiện tại của trường để thành lập một liên minh nhằm hỗ trợ nghiên cứu, phát triển và sản xuất quy mô nhỏ các hệ thống vi mô tích hợp không đồng nhất 3D (3DHI). Tiến sĩ Whitney Mason, giám đốc Văn phòng công nghệ vi hệ thống của DARPA, cho biết “điều đầu tiên cần làm là thành lập một trung tâm sản xuất nguyên mẫu và dây chuyền thử nghiệm vi hệ thống 3DHI trên bờ, mở”.
TRANG TỔNG HỢP, PHÂN TÍCH TIN TỨC VỀ KH-CN
