Theo TechXplore ngày 14 tháng 9, các nhà nghiên cứu từ Đại học Fudan đã phát triển một phương pháp tích hợp có thể mở rộng quy mô để sản xuất các thiết bị bộ nhớ flash hai chiều siêu nhanh. Các nhà nghiên cứu đã sử dụng nhiều kỹ thuật xử lý khác nhau, bao gồm quang khắc, bốc hơi chùm electron, lắng đọng lớp nguyên tử nhiệt, công nghệ chuyển giao hỗ trợ polystyrene và quy trình ủ để sử dụng thành công vật liệu molypden disulfide hai chiều để sản xuất chip bộ nhớ flash siêu nhanh, tích hợp thành công 1024 thiết bị với tỷ lệ năng suất trên 98%. Phương pháp mới này thu nhỏ kênh bộ nhớ flash xuống dưới 10 nanomet, cung cấp khả năng lưu trữ thông tin không bay hơi và độ bền cao, đồng thời dự kiến sẽ thúc đẩy ứng dụng thương mại quy mô lớn của bộ nhớ flash siêu nhanh.
Nguồn: https://techxplore.com/news/2024-09-scalable-approach-ultrafast-2d-memories.html
