Theo Tin tức Năng lượng Trung Quốc vào ngày 6 tháng 4, nhóm thiết bị và vật liệu năng lượng sạch của Đại học Khoa học và Công nghệ Đông Trung Quốc ở Trung Quốc đã độc lập phát triển một công nghệ tăng trưởng phổ quát cho tấm wafer đơn tinh thể perovskite, giúp rút ngắn chu kỳ tăng trưởng tinh thể từ 7 ngày xuống còn 1,5 ngày , đạt được 30 độ chuẩn bị ở nhiệt độ thấp, nhanh chóng và có thể kiểm soát được của nhiều chất bán dẫn perovskite halogenua kim loại. Perovskites halogen kim loại là một loại vật liệu bán dẫn mới có đặc tính quang điện tử tuyệt vời và có thể được điều chế ở dạng dung dịch. Họ đã cho thấy triển vọng ứng dụng trong sản xuất pin mặt trời, điốt phát sáng, máy dò bức xạ và thế hệ thiết bị quang điện tử hiệu suất cao mới. Từ lâu, trên thế giới chưa có phương pháp điều chế phổ biến nào cho tấm wafer đơn tinh thể perovskite. Các phương pháp truyền thống chỉ có thể chuẩn bị một vài tinh thể đơn có kích thước milimet theo cách đáp ứng yêu cầu của môi trường nhiệt độ cao và tốc độ tăng trưởng chậm, điều này hạn chế đáng kể ứng dụng thực tế của tấm wafer đơn tinh thể. . Các nhà nghiên cứu tại Đại học Khoa học và Công nghệ Đông Trung Quốc đã phát triển một hệ thống tăng trưởng được đại diện bởi dimethoxyetanol, hệ thống này điều chỉnh tinh vi quá trình năng động của các mixen thông qua nhiều nhóm phối hợp, tăng hệ số khuếch tán của chất hòa tan lên gấp ba lần. Trong hệ thống dòng chất tan cao, các nhà nghiên cứu đã đạt được mức giảm nhiệt độ môi trường phát triển tinh thể xuống 60 độ C và tốc độ phát triển tinh thể tăng gấp 4 lần. Dựa trên bước đột phá này, nhóm nghiên cứu đã chế tạo một thiết bị phát hiện bức xạ wafer đơn tinh thể hiệu suất cao, không chỉ cho phép chụp ảnh bức xạ tự cấp nguồn, tránh giới hạn điện áp hoạt động cao mà còn giảm đáng kể cường độ bức xạ. Kết quả nghiên cứu có liên quan đã được công bố trên tạp chí Nature Communications.
TRANG TỔNG HỢP, PHÂN TÍCH TIN TỨC VỀ KH-CN
