Theo Dual Carbon Intelligence ngày 5/3, Bộ Năng lượng Mỹ đã phân bổ 4 triệu USD cho Phòng thí nghiệm quốc gia Argonne để phát triển các vi mạch tiêu thụ năng lượng cực thấp sử dụng công nghệ lắng đọng lớp nguyên tử (ALD). Nghiên cứu này sẽ thúc đẩy công việc tiên phong của Argonne trong công nghệ ALD phối hợp với Đại học Stanford, Đại học Northwestern và Đại học Bang Boise, nhằm mục đích phát triển các vi mạch sử dụng 1/50 công suất của các chip hiện tại. Điện tử tìm kiếm giải pháp tiết kiệm năng lượng. Công nghệ ALD có thể chuẩn bị nhiều màng mỏng khác nhau trên đế 3D phức tạp và là công nghệ lý tưởng để sản xuất các thiết bị điện tử tiêu thụ năng lượng cực thấp. Trong dự án này, các nhà khoa học của Phòng thí nghiệm Quốc gia Argonne sẽ sử dụng công nghệ ALD để thiết kế lại vi mạch và thu hẹp khoảng cách giữa bộ vi xử lý và chip bộ nhớ, điều này có thể thực hiện được bằng cách không sử dụng mạch tích hợp 3D để xếp chồng các lớp bộ nhớ và logic lại với nhau. Giảm mức sử dụng năng lượng tới 90%. Hiện tại, các nhà nghiên cứu đang phát triển một loại vật liệu bán dẫn hai chiều thay thế, molybdenum disulfide (MoS2), để thay thế silicon nhằm tạo ra các bóng bán dẫn hiệu ứng trường bán dẫn 2D (2D-fet) có thể xếp chồng lên nhau theo ba chiều. Điều này để lại nhiều không gian hơn cho vi mạch để xếp chồng bộ nhớ và logic lên nhau một cách hiệu quả, giảm đáng kể mức tiêu thụ năng lượng. Trong khi đó, các nhà khoa học tại Phòng thí nghiệm Quốc gia Argonne đang nghiên cứu việc sử dụng ALD molybdenum disulfide trong các bóng bán dẫn bộ nhớ, các linh kiện điện tử được sử dụng để xây dựng các mạch thần kinh. Các mạch mô phỏng thần kinh có khả năng sử dụng năng lượng ít hơn tới 1 triệu lần so với các thiết bị silicon truyền thống.
TRANG TỔNG HỢP, PHÂN TÍCH TIN TỨC VỀ KH-CN
