Các nhà nghiên cứu Hàn Quốc lần đầu tiên kết hợp MXene gốc vanadi với ruthenium để cải thiện độ nhạy của cảm biến MXene gốc vanadi

Theo tin tức từ trang web của Viện Khoa học và Công nghệ Quốc gia Ulsan vào ngày 3 tháng 1, các nhà nghiên cứu tại Viện Khoa học và Công nghệ Quốc gia Ulsan (UNIST) ở Hàn Quốc lần đầu tiên sử dụng công nghệ lắng đọng lớp nguyên tử (ALD) để tạo lớp hai chiều. vật liệu nano MXene dựa trên vanadi (DM-V₂CT_XMXene) kết hợp với ruthenium (Ru) cải thiện độ nhạy của cảm biến dựa trên MXene dựa trên vanadi và có thể được sử dụng trong các ứng dụng như cảm biến nhiệt độ da theo thời gian thực, cảm biến không tiếp xúc, cảm biến tiệm cận và theo dõi hô hấp. Các nhà nghiên cứu đã sử dụng MXene gốc vanadi (Ru@DM-V) được tối ưu hóa bằng công nghệ ALD₂CT_XMXene) thay thế MXene dựa trên titan truyền thống và kỹ thuật cấu trúc bề mặt bên trong của nó, đồng thời áp dụng công nghệ này cho các cảm biến nhiệt độ để trình diễn chức năng và vận hành. Kết quả cho thấy dựa trên Ru@DM-V₂CT_XCảm biến nhiệt độ MXene có độ nhạy tuyệt vời là 1,11%/oC, trong khi độ nhạy của cảm biến nhiệt độ MXene dựa trên vanadi ban đầu là 0,42%/oC. Các nhà nghiên cứu tiếp tục nghiên cứu MXene không chứa titan (chẳng hạn như MXene dựa trên Mo, V, Nb) và phát hiện ra rằng bằng cách kết hợp các nguyên tử đơn lẻ hoặc cụm nguyên tử của kim loại quý (Ru, Ir, Pt và Pd), hoạt động và hiệu suất bề mặt sẽ tăng lên. của MXene có thể được tăng cường đáng kể. nhạy cảm. Những phát hiện này có thể tạo điều kiện thuận lợi cho việc phát triển các vật liệu dệt điện tử linh hoạt cho các ứng dụng chăm sóc sức khỏe di động và giao diện người-máy không tiếp xúc trong tương lai. Kết quả nghiên cứu liên quan đã được công bố trên tạp chí Advanced Science.

Nguồn: https://news.unist.ac.kr/discovering-novel-avenue-for-engineering-emerging-2d-mxene-family-via-precious-metals-atomic-layer-deposition-techniques/