Đại học Rochester cải thiện hiệu suất của điện trở nhớ 2D

Theo tin tức trên trang web IEEE Spectrum ngày 3/1, các nhà nghiên cứu tại Đại học Rochester, Hoa Kỳ đã cải thiện thành công hiệu suất của các điện trở nhớ hai chiều bằng cách đưa vào biến dạng. Các nhà nghiên cứu đã sử dụng màng hai chiều molybdenum ditelluride được thiết kế theo quy trình để đạt được mục tiêu này. Bằng cách kiểm soát chính xác độ dày và góc của các điểm tiếp xúc, các nhà nghiên cứu có thể thiết kế lượng và hướng biến dạng tối ưu, dẫn đến tốc độ chuyển mạch nhanh hơn và năng lượng vận hành thấp hơn, chỉ cần 0,1 volt và 120 ajoules để thực hiện các hoạt động chuyển mạch. . Nhóm hiện cũng đang nỗ lực giải quyết các thách thức như thời gian duy trì trạng thái thiết bị và độ ổn định. Mặc dù cần phải nghiên cứu và kỹ thuật sâu hơn nhưng nghiên cứu này mở ra một hướng đi đầy hứa hẹn cho việc ứng dụng điện trở nhớ 2D trong các thiết bị điện toán mô phỏng thần kinh nhân tạo quy mô lớn.

Nguồn: https://spectrum.ieee.org/memristor-2666698209