Các nhà nghiên cứu Trung Quốc phát hiện ra các vết lõm trong màng perovskite có thể cải thiện độ ổn định của pin mặt trời

Theo tin tức từ Double Carbon Intelligence vào ngày 26 tháng 8, nhóm nghiên cứu của Đại học Khoa học và Công nghệ Hồng Kông đã phát hiện ra rằng các vết lõm bề mặt của hạt có tác động đáng kể đến hiệu suất của pin mặt trời perovskite và tiên phong trong một phương pháp mới để cải thiện hiệu quả và độ ổn định của pin bằng cách loại bỏ các vết lõm này về mặt hóa học. Các nhà nghiên cứu đã phát hiện ra các vết lõm bề mặt của từng hạt, phá vỡ tính liên tục về mặt cấu trúc của giao diện màng perovskite và trở thành một yếu tố vi cấu trúc ngầm định hạn chế hiệu quả và độ ổn định của pin perovskite. Sau đó, các nhà nghiên cứu đã sử dụng một phân tử chất hoạt động bề mặt “kali tridecafluorohexane-1-sulfonate” để loại bỏ các vết lõm bề mặt của hạt và phát hiện ra rằng các pin đã được cải thiện đáng kể về mặt duy trì hiệu suất. Nghiên cứu này cung cấp những ý tưởng mới cho việc thương mại hóa công nghệ năng lượng mặt trời. Các kết quả nghiên cứu có liên quan đã được công bố trên tạp chí Nature Energy.

Nguồn: https://mp.weixin.qq.com/s/gIgNeYo7fPFA7s6XXXLyBoA